研究发现：外媒：星电子236层NAND闪存预计年内开始生产2022/8/18 23:43:51

2022-8-18 23:43| 发布者: msmkmm2012| 查看: 48| 评论: 0

摘要: 8月17日消息，据国外媒体报道，当前全球比较大的存储芯片制造商星电子，预计会在年内开始生产236层NAND闪存。Tiktok国际版下载的相关知识也可以到网站具体了解一下，有专业的客服人员为您全面解读，相信会有一个好的 ...

8月17日消息，据国外媒体报道，当前全球比较大的存储芯片制造商星电子，预计会在年内开始生产236层NAND闪存。Tiktok国际版下载的相关知识也可以到网站具体了解一下，有专业的客服人员为您全面解读，相信会有一个好的合作！https://www.kumaoyun.cc/tiktokguojibanxiazai

星电子236层NAND闪存预计年内开始生产，是由韩国媒体率先开始报道的。

韩国媒体在报道中还表示，星目前量产的NAND闪存，比较高是176层，在236层的产品量产之后，星电子NAND闪存的层数就将创下新高。

从韩国媒体的报道来看，星电子对即将量产的236层NAND闪存寄予了厚望。他们在报道中就表示，星电子目前在全球NAND闪存市场的份额约为35%。将层数增加60层后，他们计划凭借生产技术、价格及性能上的竞争势，增加市场份额。

在全球NAND闪存市场上，主要厂商之间的竞争也较为激烈，都在研发性能更强的产品。SK海力士8月2日就在宣布，他们已经研发出了238层512GTLC4DNAND，预计在明年上半年开始量产。美光科技此前也已宣布，他们完成了232层NAND闪存的研发。